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一般情況下，晶振不起振的原因歸納如下：
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晶片斷裂
分析：晶片的化學(xué)成分為二氧化硅，與玻璃相同，屬于清脆易碎品，在承受較大沖撞、跌落、強(qiáng)震動(dòng)、溫度環(huán)境極速變化等外力作用的情況下有可能產(chǎn)生破裂、破碎等現(xiàn)象。
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解決方案：
1） 晶片破裂是不可逆的物理現(xiàn)象，所以此不良是穩(wěn)定且永恒的不良現(xiàn)象，雖然可造成晶振不起振，但卻較易挑選。
2）建議客戶在晶振轉(zhuǎn)運(yùn)過(guò)程中，嚴(yán)格遵循“跌落勿用”原則。在運(yùn)輸過(guò)程中，應(yīng)對(duì)產(chǎn)品加強(qiáng)包裝防護(hù)，避免產(chǎn)品遭受過(guò)強(qiáng)沖擊而損壞。
2. 導(dǎo)電膠斷裂
分析：因斷路導(dǎo)致晶振不起振或時(shí)振時(shí)不振。判定為導(dǎo)電膠品質(zhì)NG。
3. 電阻值過(guò)大
分析：導(dǎo)致電流強(qiáng)度不足于驅(qū)動(dòng)晶片正常振動(dòng)。晶振存放時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，或內(nèi)部空間不夠潔凈，小水滴或雜質(zhì)容易附于晶片表面，會(huì)造成晶振工作不穩(wěn)定或停止工作。例如：49U密閉空間較其它封裝更大，晶片長(zhǎng)時(shí)間工作，更容易受到污染，發(fā)生頻偏及電阻增大， 造成穩(wěn)定性不夠。
解決方案：建議客戶選取體積較小晶振，避免晶振長(zhǎng)時(shí)間存儲(chǔ)。選擇晶諾威晶振，產(chǎn)品內(nèi)部真空，已充氮?dú)�，確保內(nèi)部空間潔凈。
4. 產(chǎn)品電極面存在隱性污染，導(dǎo)致上線后出現(xiàn)電氣參數(shù)變異。
分析：焊接工作臺(tái)臟污
解決方案：建議客戶各工序下班前進(jìn)行衛(wèi)生清潔，清潔方式：使用無(wú)塵布蘸酒精對(duì)機(jī)臺(tái)和工作臺(tái)進(jìn)行衛(wèi)生清潔，值班長(zhǎng)監(jiān)督檢查。
5. 基座斷裂
分析：晶振基座破裂，晶振遭受破壞性物理外力從而導(dǎo)致內(nèi)部晶片因拉伸或扭曲而斷裂，造成晶振停振。
解決方案：
1） 建議客戶在晶振貼片之前，增加對(duì)板子的預(yù)熱動(dòng)作，避免板子瞬間受熱變形而造成對(duì)晶振基座破壞性的物理外力沖擊的可能性發(fā)生。
2）建議客戶在晶振運(yùn)轉(zhuǎn)中，包括倉(cāng)庫(kù)及產(chǎn)線， 嚴(yán)格遵循“跌落勿用”原則。
如出現(xiàn)跌落，踩壓等情形，嚴(yán)禁使用。
6. 因焊接操作不規(guī)范造成晶振損壞導(dǎo)致晶振不起振。
分析：解剖發(fā)現(xiàn)，晶片已經(jīng)破損，造成晶振停振
解決方案：針對(duì)圓柱晶體停振問(wèn)題，建議客戶針對(duì)晶振導(dǎo)腳焊接工序時(shí)，焊接部位僅局限于導(dǎo)腳到玻璃纖部位1.0mm以上的部位，并且請(qǐng)不要對(duì)外殼進(jìn)行焊接。另外，假如利用高溫或長(zhǎng)時(shí)間對(duì)導(dǎo)腳部位進(jìn)行加熱，會(huì)導(dǎo)致晶振內(nèi)部晶片鍍銀層破壞，電阻超差等問(wèn)題。因此，請(qǐng)留意對(duì)導(dǎo)腳部位的加熱溫度要控制在300°C以下，且加熱時(shí)間要控制在5秒以內(nèi)(外殼的部位的加熱溫度要掌握在150°C以下)。另外，焊接中，嚴(yán)禁用力拉扯晶振導(dǎo)腳，以防破壞基座的玻璃纖部位，造成內(nèi)部晶片碰殼受損。
